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第一一一六章 不同意（第1页）

gca当时投入研发euv技术项目的3000万美元经费，可以收购asml40%的股权，不是一笔小数目！

gca当时账上的现金流只剩下300多万美元，公司要花钱的地方多的是。

孙健前世在互联网上看过不少有关asml

euv光刻机的文章，作者纷纷感叹研发和生产euv光刻机之难难于上青天，被称为外星人的科技水准，是迄今为止人类科技领域所能达到的最尖端技术，没有之一。

为了打破封锁，投入巨资，举国之力也没有看见成果。

前世90年代末，干式193nm波长光刻机遇到了65nm制程工艺的极限，再往下就寸步难行，如何跨入40nm制程工艺？成为阻挡所有光刻机等半导体厂商的世界性难题，科学家和产业界提出了各种超越193nm波长的方案，其中包括157nm

f2激光，电子束投射（epl），离子投射（ipl）、euv（13.5nm）和x光等。

相对而言，157nm

f2激光的技术难度稍低，不少公司开始下注157nm

f2激光，其中尼康和svg在这个技术路线走的最远，是最接近商业化量产的两家公司。

几年后，asml收购了svg，也拥有了157nmf2激光技术，又砸下数亿美元进行研发，此外asml也还尝试开发euv光刻机。

财大气粗的英特尔一开始就倾向于激进的euv（13.5nm）方案，希望彻底解决光刻机的波长世界性难题，集中全球顶尖科技精英一起愚公移山，他们说服对高科技开明的克林顿内阁，发起成立了euv

llc（euv有限责任公司）。

euv

llc由英特尔和美国能源部牵头，集中了当时如日中天的摩托罗拉、ibm和amd，以及享有盛誉的美国三大国家实验室：劳伦斯利弗莫尔实验室、劳伦斯伯克利实验室和桑迪亚国家实验室，集中数百位世界顶尖科学家，投资2亿美元研发经费，从理论上验证

euv可能存在的技术问题。

英特尔当时打算邀请光刻机行业第一、第二位的nikon和asml加入euv

llc，但美国政府担心最前沿的光刻机技术落入外国公司手中，反对nikon和asml加入。

asml为了表现诚意，同意在美国建立一所工厂和一个研发中心，以此满足所有美国本土的产能需求，另外，还保证55%的零部件均从美国供应商处采购，并接受定期审查，做出多项让步后，最后成功加入euv

llc，能够享受其基础研究成果，nikon却没有机会加入，失去了同asml竞争的机会。

几年之后，终于论证了euv的可行性，于是euv

llc的使命完成，公司解散，各个成员踏上独自研发之路。

asml加入euv

llc后，享受到的研究成果大大加快了其euv的研发进度，2005年摩尔定律陷入停滞，极紫外光刻技术被认为是制程突破10nm制程工艺的关键，但由于euv光刻机几乎逼近物理学、材料学以及精密制造的极限，光源功率要求极高，透镜和反射镜系统也极致精密，还需要真空环境，配套的抗蚀剂和防护膜的良品率也不高，别说是对日本与荷兰，就算是科技全球第一的美国，举国之力独自突破这项世界最尖端的技术，也是痴人说梦。

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